HJT如何破局成本痛点
上面论述了HJT目前的光电转换效率优势，但其效率提升带来的发电量提升所降低的成本，仍不能抹平其目前较高的生产成本，其更贵的成本制约了目前量产的速度。因此后续HJT成本下降的路径和节奏（生产成本对PERC的绝对经济性），决定了HJT替代PERC产线的进度。
目前HJT电池相比PERC电池的成本劣势主要集中在银浆、设备投资和靶材成本上，而未来HJT成本下降的主要方向为银浆、硅片和靶材。
截止2022年6月，HJT已经在银浆成本、硅片成本和靶材成本下降方面取得进展，总体相较2021年电池成本下降0.21元/W，预计2022年底和PERC持平，进度符合预期。
2022年HJT各环节成本下降测算和工艺进度总结如下：
和PERC替代BSF电池一样，和现有技术成本打平并不是HJT的终点，事实上，顺着上述降本路径，HJT在可见的2年仍有非常大的降本空间，各环节顺利的实现将助力HJT在未来快速提升渗透率提升，完成对PERC的替代。
在不考虑硅料成本下降的情境下，预计HJT电池2024年成本还能在2022年测算基础上下降0.3元/W，考虑其更高的转换效率，这带来远超PERC的经济性和竞争力。
具体测算如下：
下面将具体论证HJT电池清晰的降本路径，以及它将如何实现在今年底和PERC电池成本打平（下文均以166电池片产品进行测算）。
1、银浆成本
1）多主栅
多主栅技术是在增加主栅数目的同时减小主栅和细栅宽度（减少遮挡面积），并通过提高横截面的高宽比，减少组件发热，实现尽量在不牺牲电池转换效率、增加组件可靠性的同时，降低银浆用量。
2022年H，华晟在导入SMBB（使用高精度串焊技术的多主栅技术）后，用银量已经从最开始的220mg/片下降至150m/片以下，金刚玻璃则做到了130mg/片附近。
2）钢板印刷
全开口钢板印刷从以下两方面降低银浆成本：
（1）从栅线高度上来看，传统丝网印刷技术的常规网版有网节，导致栅线高度不均匀（带来木桶效应，导电性能看最低的栅线高度，丝印的栅线高度不匀（10-16μm），导致浆料浪费）；全开口钢板技术印刷高度均匀，为13-14μm。
（2）从栅线宽度上来看，传统丝网印刷的宽度为45-50μm，全开口钢板技术印刷宽度仅26μm（未来可以控制到20μm），节约浆料用量，且栅线高宽比达50%以上，导电性能优化。
钢板印刷导入，银耗量可以降低到120-130mg/片。这也是纯银路线的最低基准数值。
此外梅耶博格无主栅Smartwire技术专利将于2023年到期，届时会进一步促进SMBB发展降本。
3）银包铜
银包铜替代纯银分2步走。
（1）银铜比例的极限探索
现在导入的是含银量45%的银包铜浆料，未来极限比例为含银量30%（对应银36mg）。
在测算2022年底HJT银浆成本的时候，保守估计，未考虑银包铜技术在量产线的导入，并以120mg含银量为准。
（2）低温银浆国产化
国产低温银浆企业，譬如聚和股份、晶银新材、帝科股份正在积极研发和扩产。预计2022年年底国产企业能够实现价格为6500元/kg的低温银浆。以此价格计算，2022年底，HJT银浆成本将降至0.10元/W。
4）电镀铜
电镀铜直接取代银浆，并将格栅的线路做的更细，线宽线距做到10μm以内。
电镀铜因为工艺难度、环保问题、成本等因素尚未取得有效突破，仍处于研发阶段，但目前被市场认为是HJT印刷环节的终局解决方案。
2、靶材成本
HJT电池的TCO透明导电膜目前主要采用97%氧化铟+3%氧化锡或90%氧化铟+10%氧化锡合成的ITO靶材。
尽管增加ITO中氧化锡的含量会导致电池效率在小范围内下降，但是能够减少相对价格更高的铟用量，进而在靶材上实现降本。
迈为股份一方面通过PVD工艺的不断改进，实现将靶材使用量从130mg/片降低至90mg片；另一方面迈为股份在今年Q2采用AZO（铝掺杂的氧化锌（ZnO）透明导电玻璃）+ITO的工艺，将背面的ITO导电膜替换成更便宜、更易得的AZO，靶材变更为45mg/片ITO+45mg/片AZO，靶材成本也从0.04元/W降低为0.02元/W。
3、硅片成本
1）硅片薄片化
硅片薄片化是低温工艺特殊的降本项，契合采用低温全流程的HJT技术。
虽然TOPCon也可以采用薄片工艺，但因其高温工艺的特性，硅片仅能从160μm减薄至140-150μm，而HJT则可从目前的150μm减薄至100μm，减薄的效益明显大于TOPCon（6.3%-12.5% VS 33.3%）.
HJT主要通过半棒半片全流程工艺实现硅片减薄。
随着硅片目前尺寸的变大，厚度的变薄，可以减少碎片的半棒半片全流程工艺符合行业发展规律。
采用半棒半片全流程，不仅在厚度上减少硅料使用，降低电池片单片硅耗，还可以在硅片环节便节约切割损耗，节约硅料消耗，增加硅片产出。此外，半棒半片全流程还能减少在组件环节才切片带来的效率损耗，进一步提升电池效率（减少0.3%的效率损耗）。
2）退火吸杂工艺
退火吸杂工艺降低了N型硅片对硅料纯度的要求，降低了拉棒环节成本，有助于降低N、P溢价，并加快实现N、P同价。
目前N型硅片相较P型仍有8%-10%的溢价。
4、设备投资成本
目前HJT电池的设备投资成本为4亿元/GW，远超过perc的1.3亿元/GW和TOPCon的2.1亿元/GW.
但考虑设备全生命周期（5年折旧计算），HJT0.08元/W的设备折旧相比PERC和TOPCon仅高出0.05元/W和0.04元/W，相比硅片和银浆0.1元/W以上的降本空间，设备降本并不是目前最迫切的环节，目前其他环节成本下降的巨大空间，给了零部件国产化缓冲的时间（需要产业链配套完成）。
此外，HJT较高的设备投资额仅在企业初始投资时，在总投资金额一定的约束下，限制企业的初始投产规模。而企业的投资决策并不会因为单一组成部分成本较高而扭曲，影响量产进度的还是看全盘考虑之后的生产成本。
HJT后续设备投资的降本主要来自做大单线产能（这个受到腔体极限大小限制以及微晶工艺的限制，目前产能为20万片/天，后续将提升至25万片/天左右）和零部件国产化（主要为真空泵、电源、真空阀、气体控制器，流体控制器、传感器等，零部件国产化需要产业链配套合作完成，预计将在3-5年内实现）。
预计到2025年左右，设备投资额将下降至3亿元/GW。
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