精彩收藏 · 2023年6月7日 0

2023存储芯片的周期机会

​存储芯片的标准化程度较高,产品可替代性较强,具备大宗商品的属性,价格受下游需求的影响较为敏感。

从供给端、需求端、价格端来说明当下周期

对于存储芯片这种需要高额资本开支、且对下游需求非常敏感的产品而言,厂商通常要实现规模化才能达到盈利目标。因此需求上行时存储厂商通常会增大资本开支,扩大产能以增加销售,若下游需求不及预期,则市场供给大于需求,市场价格结束上行,开始进入降价去库存区间。此时存储厂商通常会选择主动缩减产能。伴随着下游需求回暖,或出现新的应用需求增量,市场供求关系又会逐渐缓和。

供给端:

供给端–资本开支:资本开支是周期的前瞻指标,当资本开支大幅下降时,存储市场将逐渐恢复增长。

下图为各大存储厂商下调 2023 CAPEX 计划:

供给端–库存:库存可以作为一个周期节奏判断的指标:市场在供过于求之后,库存水位会持续上升,然后 通过降价、减产等方式,库存水位又会逐渐恢复到相对正常的水平。从三大家的存货情况来看,三星和SK海力士的存货增速都已经见顶,开始转为下行;美光的存货仍保持增长,但在其 FY23Q2 法说会上公司表示,客户端库存已经开始下降,公司预计DIO在Q2已经达到峰值,未来将逐渐开始下降。

各大存储厂商纷纷宣布减产:

需求端:

需求端–升级换代:智能手机、服务器和 PC 是存储芯片的主要需求来源。以前小电影1个g左右,现在5g起步,游戏如大表哥、cod19、艾尔登法环,动辄百g左右,更不用说未来融合了chatgpt的游戏了。

需求端–AI存力:各大厂商相继推出大模型产品,大量的数据集传输和储存对存力提出了更高的要求。在 AI 服务器中应用的存储芯片主要包括:高带宽存储器(HBM,是三星、AMD 和 SK 海力士发起的一种 基于 3D 堆栈工艺的高性能 DRAM)、DRAM 和 SSD。根据美光测算,AI 服务器中 DRAM 数量是传统服务器的 8 倍,NAND 是传统的 3 倍。根据 TrendForce 预测,2023 年 Server DRAM 的位元出货比重将超过 Mobile DRAM 成为第一大需求增量。

价格端:根据 TrendForce 数据,2023Q1 DRAM 价格跌幅近 20%,NAND 价格跌幅为 10%~15%。站在当前时点,各大原厂持续进行减产,供需关系逐渐好转,预计 Q2 价格跌幅将有所收窄,DRAM 价格收窄至 10%~15%,NAND 价格收窄至 5~10%。

相关公司

$兆易创新(SH603986)$ :NOR Flash 市场龙头,DRAM 快速提升 兆易创新是国内 NOR Flash 龙头公司,主营业务包括存储芯片、MCU 和传感器,其中存储 芯片 2021 年收入占比为 64%,为公司最主要的收入来源。公司存储产品包括 NOR Flash、NAND Flash 和 DRAM,根据公司公告,2021 年公司 NOR Flash 市场排名全球第三,前二名是中国台湾的华邦电子和旺宏电子。公司 GD25/55 系列 SPI NOR Flash 全容量覆盖市场需求,容量范围从 512Kb 到 2Gb,车规级 NOR 覆盖 2Mb~2Gb 容量。公司 DRAM 产品与合肥长鑫深度合作,根据公司《关于日常关联交易预计额度的公告》,预计 23H1 向长鑫的自研采购金额达 2.08 亿元,已接近 2022 全年水平,公司正加速布局 DRAM 产品。

$北京君正(SZ300223)$ :并购 ISSI,成为车载 DRAM 龙头 北京君正于 2020 年收购 ISSI,快速切入存储芯片领域。公司主营业务包括存储芯片、智能视频芯片、模拟与互联芯片及微处理器芯片,其中存储芯片 2022 年收入占比达 74.9%,为 公司最主要收入来源。公司存储芯片分为 SRAM、DRAM 和 Flash 三大类别,主要面向汽 车、工业、医疗等行业市场及高端消费类市场。2022 年,公司车规 SRAM 和车规 DRAM 在 全球车规细分市场均名列前茅,车规 Flash 芯片的市场销售同比实现了大幅增长。

$深科技(SZ000021)$ :长鑫的封装全部外包,深科技(沛顿科技)是主要供应商(占长鑫60%)。深科技的合肥工厂主要配套长鑫,大基金和合肥市政府也参投,深科技(沛顿科技)的技术底子是金士顿的封装厂,有TSV、多层堆叠技术储备(HBM),且是国内唯一一家有intel CPU架构存储认证的企业。

东芯股份 :聚焦中小型存储,利基存储平台型公司东芯股份产品线布局全面,可以同时提供 NAND、NOR、DRAM、MCP 等产品,2021 年四条产品线收入占比分别为 58.2%/16.5%/7.0%/15.7%。公司的 SLC NAND Flash 产品核心 技术优势明显,工艺制程不断更新迭代,实现了从 1Gb 到 32Gb 系列产品设计研发的全覆盖。此外,公司工艺制程不断更新迭代,与中芯国际和力积电紧密合作,将 NAND Flash 工 艺制程推进至 19nm,并保障了产能稳定供应

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