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11月3日午间，台湾电子时报报道：近期车企与晶圆代工厂针对2023年报价协商拔河进入高潮期，其中，小部分晶圆代工厂针对车用小幅涨价有望成功，不过高比例仍在热议中。部分厂商倾向晶圆代工与IDM及Tier 1各退一步，预估可达成2023全年代工报价个位数百分比调升。
一、全球晶圆厂掀起扩厂潮：
近期研究机构Knometa Research表示，由于半导体应用需求成长与地缘政治因素，2022至2025年全球将掀起晶圆厂扩厂潮，或将新增41个晶圆厂。其中32座位于亚洲，并以12英寸厂扩充为主。中国大陆估增8座，包括12寸7座，6英寸以下1座。
1）从2006年至2021年，中国大陆半导体材料市场规模增长超过4倍。受益于新能源车、光伏、数据中心等下游需求拉动，各大晶圆厂纷纷公布了扩产计划，绝大部分产能有望在2022至2025年陆续投产。随着新建产能陆续投产，半导体材料行业将迎来高景气，有望带动相关厂商加速导入客户供应链，迈向高速成长期。
二、市场空间仍待开发：
以SiC为例：从市场空间上来看，根据Yole数据，预计2027年市场空间将超过60亿美元，仅碳化硅器件中的功率器件的市场规模将从2021年的10.90亿美金增长至2027年的62.97亿美金，GAGR达到34%，从细分行业需求来看，新能源产业链和充电基础设施将为增长最快领域。从供给端来看，目前整体产业链受限于SiC衬底产能、对衬底缺陷缺乏有效控制、向大尺寸衬底转移等因素，同时在外延膜生产设备基本依靠海外、厚度与掺杂浓度均匀性等因素，外延生产同样存在壁垒。多因素导致国内SiC市场短期仍表现为供不应求局面。
1）新能源车领域将会为SiC功率器件带来巨大增量。SiC功率器件主要应用于主驱逆变器、OBC、DC/DC车载电源转换器和大功率DC/DC充电器领域。随着未来 800V电压平台推出，在大功率，大电流条件下减少损耗、增大效率和减小器件尺寸，电机控制器的主驱逆变器将不可避免从硅基IGBT替换为SiC基MOS模块，存量替代市场空间巨大。
三、海外厂商为主导：
从行业竞争格局来看，美国、欧洲和日本企业为SiC整个行业的领先者，国内厂商具备加速替代趋势。例如Wolfspeed已突破8英寸节点，国内企业还处于4、6英寸衬底导入阶段。
1）目前国内企业目前正在加速追赶，在专利和市占率持续提升，国内碳化硅产业化带有 “学研”基因极为突出，包括天岳、天科合达均为始于院校研究所。
SiC行业近期飞速发展，海外多家厂商具备先发优势，短期内在产品、产能和良率等方面均领先国内企业，但随着国内市场对SiC行业重视程度提高，技术不断进步，未来有望实现对海外厂商的弯道超车。
四、相关个股：
