本文只比较技术和市场。美光在技术、产能、产品、供应链方面比国内存储厂商稳定很多，在DRAM、NAND等领域占据全球龙头的市场地位。国内合肥长鑫、长江存储、兆易创新、北京君正等已在技术上取得突破，合肥长鑫、长江存储承担高端市场国产替代的战略任务，兆易创新、北京君正在利基、行业、工控及消费等市场发力，但整体上面临着MG打压，供应链不稳定，多数时候没办法撒开手干，假以时日，希望设备和材料能够在14nm以上完全国产化，国内存储芯片基本上具备在高中低端实现完全替代的能力。
一、DRAM（合肥长鑫落后美光一代）
合肥长鑫：最先进的量产芯片包括19nm工艺的DDR4（第四代双倍速率同步动态随机存储器）、LPDDR4X（第四代超低功耗双倍速率同步动态随机存储器, 采用了LVSTL 的低功耗接口及多项降低功耗的设计）等，全球第4家做到20nm以下。根据2020年安徽省经济和信息化厅印发的《重点领域补短板产品和关键技术攻关任务揭榜工作方案》，预测合肥长鑫将于2023年前后量产14/15nm工艺的DDR5、LPDDR5。
兆易创新：公司与合肥长鑫密切合作，2021年6月推出首款自有品牌DRAM产品，19nm工艺，主要面向利基市场，根据官网信息应该是DDR3L，17nm DDR3首颗产品于2022年四季度向市场推出；规划中的产品包括DDR3、DDR4、LPDDR3、LPDDR4，制程在1Xnm级（19nm、17nm）。
北京君正：根据公司披露的调研信息，公司DRAM产品采用25nm工艺，DDR3在DRAM产品中的占比最大，约在50%左右，DDR4、LPDDR4目前占比相对较小；DDR4已经量产销售，8G LPDDR4产品去年四季度已开始送样。
美光科技：最先进量产芯片包括LPDDR5X等。2022年11月，美光科技宣布1β节点（12-10nm）DRAM的量产已全面准备就绪，将会率先在日本工厂量产，之后也会在中国台湾量产，从2023年开始，其他产品类别会陆续上线改用1β工艺。
二、SRAM（北京君正占据有利位置）
北京君正：2018年全球SRAM市场格局为，赛普拉斯占比40%、ISSI（北京君正控制）占比17%、瑞萨占比15%、GSI占比8%、其他占比20%。
三、NAND（长江存储技术不亚于美光科技）
长江存储：2022年底搞定232层3D NAND Flash X3-9070，基于自研自产晶栈架构Xtacking 3.0的第四代产品，X3-9070拥有长江存储截至目前最高的存储密度和最强的性能，I/O速度已高达2,400MT/s，相比上一代产品提升了50%的性能，并且功耗降低了25%，让产品竞争力得到了大幅提升。
兆易创新：公司的产品主要是SLC NAND（小容量、低密度、2D），GD5F系列SPI NAND 38nm和24nm两种制程全面量产，1Gb~4Gb全容量覆盖；目前SLC NAND供应商主要为中国台湾厂商，华邦电子、旺宏电子占据了较高的市场份额。
美光科技：2022年5月宣布推出业界首款232层3D NAND Flash，预计年底生产。
四、NOR（兆易创新市占率领先）
兆易创新：公司在NOR Flash领域竞争力较强，55nm工艺节点全系列产品均已量产，正在推进45nm制程工艺研发。全球竞争格局为：旺宏占比26%、华邦电子占比26%、兆易创新占比18%、赛普拉斯占比11%、美光占比7%、其他占比12%。
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